IXFR16N120P
MOSFET N-CH 1200V 9A ISOPLUS247
型号
IXFR16N120P
制造商/品牌
系列
HiPerFET™, PolarP2™
零件状态
Active
包装
Tube
技术
MOSFET (Metal Oxide)
工作温度
-55°C ~ 150°C (TJ)
安装类型
Through Hole
封装/箱体
ISOPLUS247™
供应商器件封装
ISOPLUS247™
功率耗散（最大）
230W (Tc)
场效应晶体管类型
N-Channel
场效应晶体管特性
-
漏源电压 (Vdss)
1200V
电流 - 连续漏极 (Id) @ 25�C
9A (Tc)
Rds On（最大值）@ Id、Vgs
1.04 Ohm @ 8A, 10V
Vgs(th)（最大值）@Id
6.5V @ 1mA
栅极电荷 (Qg) (最大值) @ Vgs
120nC @ 10V
输入电容 (Ciss) (最大值) @ Vds
6900pF @ 25V
驱动电压（最大导通电阻、最小导通电阻）
10V
电压 (最大值)
±30V
请求报价
请填写所有必填字段并点击“提交”，我们将在12小时内通过电子邮件与您联系。如果您有任何问题，请留言或发送电子邮件至 chen_hx1688@hotmail.com，我们将尽快回复。
有货 36534 PCS
联系信息
相关产品
关键词 IXFR16N120P
IXFR16N120P 电子元件
IXFR16N120P 销售
IXFR16N120P 供应商
IXFR16N120P 分销商
IXFR16N120P 数据表
IXFR16N120P 图片
IXFR16N120P 报价
IXFR16N120P 提供
IXFR16N120P 最低价格
IXFR16N120P 搜索
IXFR16N120P 购买
IXFR16N120P 芯片