图片可能具有代表性。
产品详情请参阅规格.
IXFQ24N50P2

IXFQ24N50P2

500V POLAR2 HIPERFETS
型号
IXFQ24N50P2
制造商/品牌
系列
HiPerFET™, PolarP2™
零件状态
Active
包装
Tube
技术
MOSFET (Metal Oxide)
工作温度
-55°C ~ 150°C (TJ)
安装类型
Through Hole
封装/箱体
TO-3P-3, SC-65-3
供应商器件封装
TO-3P
功率耗散(最大)
480W (Tc)
场效应晶体管类型
N-Channel
场效应晶体管特性
-
漏源电压 (Vdss)
500V
电流 - 连续漏极 (Id) @ 25�C
24A (Tc)
Rds On(最大值)@ Id、Vgs
270 mOhm @ 500mA, 10V
Vgs(th)(最大值)@Id
4.5V @ 1mA
栅极电荷 (Qg) (最大值) @ Vgs
48nC @ 10V
输入电容 (Ciss) (最大值) @ Vds
2890pF @ 25V
驱动电压(最大导通电阻、最小导通电阻)
10V
电压 (最大值)
±30V
请求报价
请填写所有必填字段并点击“提交”,我们将在12小时内通过电子邮件与您联系。如果您有任何问题,请留言或发送电子邮件至 [email protected],我们将尽快回复。
有货 48073 PCS
联系信息
关键词 IXFQ24N50P2
IXFQ24N50P2 电子元件
IXFQ24N50P2 销售
IXFQ24N50P2 供应商
IXFQ24N50P2 分销商
IXFQ24N50P2 数据表
IXFQ24N50P2 图片
IXFQ24N50P2 报价
IXFQ24N50P2 提供
IXFQ24N50P2 最低价格
IXFQ24N50P2 搜索
IXFQ24N50P2 购买
IXFQ24N50P2 芯片