图片可能具有代表性。
产品详情请参阅规格.
IXFP38N30X3M

IXFP38N30X3M

FET N-CHANNEL
型号
IXFP38N30X3M
制造商/品牌
系列
HiPerFET™
零件状态
Active
包装
Tube
技术
MOSFET (Metal Oxide)
工作温度
-55°C ~ 150°C (TJ)
安装类型
Through Hole
封装/箱体
TO-220-3 Full Pack
供应商器件封装
TO-220 Isolated Tab
功率耗散(最大)
34W (Tc)
场效应晶体管类型
N-Channel
场效应晶体管特性
-
漏源电压 (Vdss)
300V
电流 - 连续漏极 (Id) @ 25�C
38A (Tc)
Rds On(最大值)@ Id、Vgs
-
Vgs(th)(最大值)@Id
-
栅极电荷 (Qg) (最大值) @ Vgs
35nC @ 15V
输入电容 (Ciss) (最大值) @ Vds
2440pF @ 15V
驱动电压(最大导通电阻、最小导通电阻)
-
电压 (最大值)
-
请求报价
请填写所有必填字段并点击“提交”,我们将在12小时内通过电子邮件与您联系。如果您有任何问题,请留言或发送电子邮件至 [email protected],我们将尽快回复。
有货 30891 PCS
联系信息
关键词 IXFP38N30X3M
IXFP38N30X3M 电子元件
IXFP38N30X3M 销售
IXFP38N30X3M 供应商
IXFP38N30X3M 分销商
IXFP38N30X3M 数据表
IXFP38N30X3M 图片
IXFP38N30X3M 报价
IXFP38N30X3M 提供
IXFP38N30X3M 最低价格
IXFP38N30X3M 搜索
IXFP38N30X3M 购买
IXFP38N30X3M 芯片