IXFN320N17T2
MOSFET N-CH 170V 260A SOT227
型号
IXFN320N17T2
制造商/品牌
系列
GigaMOS™
零件状态
Active
包装
Tube
技术
MOSFET (Metal Oxide)
工作温度
-55°C ~ 175°C (TJ)
安装类型
Chassis Mount
封装/箱体
SOT-227-4, miniBLOC
供应商器件封装
SOT-227B
功率耗散（最大）
1070W (Tc)
场效应晶体管类型
N-Channel
场效应晶体管特性
-
漏源电压 (Vdss)
170V
电流 - 连续漏极 (Id) @ 25�C
260A (Tc)
Rds On（最大值）@ Id、Vgs
5.2 mOhm @ 60A, 10V
Vgs(th)（最大值）@Id
5V @ 8mA
栅极电荷 (Qg) (最大值) @ Vgs
640nC @ 10V
输入电容 (Ciss) (最大值) @ Vds
45000pF @ 25V
驱动电压（最大导通电阻、最小导通电阻）
10V
电压 (最大值)
±20V
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