IXFN110N60P3
MOSFET N-CH 600V 90A SOT227
型号
IXFN110N60P3
制造商/品牌
系列
HiPerFET™, Polar3™
零件状态
Active
包装
Tube
技术
MOSFET (Metal Oxide)
工作温度
-55°C ~ 150°C (TJ)
安装类型
Chassis Mount
封装/箱体
SOT-227-4, miniBLOC
供应商器件封装
SOT-227B
功率耗散（最大）
1500W (Tc)
场效应晶体管类型
N-Channel
场效应晶体管特性
-
漏源电压 (Vdss)
600V
电流 - 连续漏极 (Id) @ 25�C
90A (Tc)
Rds On（最大值）@ Id、Vgs
56 mOhm @ 55A, 10V
Vgs(th)（最大值）@Id
5V @ 8mA
栅极电荷 (Qg) (最大值) @ Vgs
245nC @ 10V
输入电容 (Ciss) (最大值) @ Vds
18000pF @ 25V
驱动电压（最大导通电阻、最小导通电阻）
10V
电压 (最大值)
±30V
请求报价
请填写所有必填字段并点击“提交”，我们将在12小时内通过电子邮件与您联系。如果您有任何问题，请留言或发送电子邮件至 [email protected]，我们将尽快回复。
有货 5340 PCS
联系信息
相关产品
关键词 IXFN110N60P3
IXFN110N60P3 电子元件
IXFN110N60P3 销售
IXFN110N60P3 供应商
IXFN110N60P3 分销商
IXFN110N60P3 数据表
IXFN110N60P3 图片
IXFN110N60P3 报价
IXFN110N60P3 提供
IXFN110N60P3 最低价格
IXFN110N60P3 搜索
IXFN110N60P3 购买
IXFN110N60P3 芯片