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IXFK80N65X2

IXFK80N65X2

MOSFET N-CH 650V 80A TO-264
型号
IXFK80N65X2
制造商/品牌
系列
HiPerFET™
零件状态
Active
包装
Tube
技术
MOSFET (Metal Oxide)
工作温度
-55°C ~ 150°C (TJ)
安装类型
Through Hole
封装/箱体
TO-264-3, TO-264AA
供应商器件封装
TO-264
功率耗散(最大)
890W (Tc)
场效应晶体管类型
N-Channel
场效应晶体管特性
-
漏源电压 (Vdss)
650V
电流 - 连续漏极 (Id) @ 25�C
80A (Tc)
Rds On(最大值)@ Id、Vgs
40 mOhm @ 40A, 10V
Vgs(th)(最大值)@Id
5.5V @ 4mA
栅极电荷 (Qg) (最大值) @ Vgs
143nC @ 10V
输入电容 (Ciss) (最大值) @ Vds
8245pF @ 25V
驱动电压(最大导通电阻、最小导通电阻)
10V
电压 (最大值)
±30V
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