图片可能具有代表性。
产品详情请参阅规格.
IXFK170N20T

IXFK170N20T

MOSFET N-CH 200V 170A TO-264
型号
IXFK170N20T
制造商/品牌
系列
GigaMOS™
零件状态
Active
包装
Tube
技术
MOSFET (Metal Oxide)
工作温度
-55°C ~ 175°C (TJ)
安装类型
Through Hole
封装/箱体
TO-264-3, TO-264AA
供应商器件封装
TO-264AA (IXFK)
功率耗散(最大)
1150W (Tc)
场效应晶体管类型
N-Channel
场效应晶体管特性
-
漏源电压 (Vdss)
200V
电流 - 连续漏极 (Id) @ 25�C
170A (Tc)
Rds On(最大值)@ Id、Vgs
11 mOhm @ 60A, 10V
Vgs(th)(最大值)@Id
5V @ 4mA
栅极电荷 (Qg) (最大值) @ Vgs
265nC @ 10V
输入电容 (Ciss) (最大值) @ Vds
19600pF @ 25V
驱动电压(最大导通电阻、最小导通电阻)
10V
电压 (最大值)
±20V
请求报价
请填写所有必填字段并点击“提交”,我们将在12小时内通过电子邮件与您联系。如果您有任何问题,请留言或发送电子邮件至 [email protected],我们将尽快回复。
有货 15733 PCS
联系信息
关键词 IXFK170N20T
IXFK170N20T 电子元件
IXFK170N20T 销售
IXFK170N20T 供应商
IXFK170N20T 分销商
IXFK170N20T 数据表
IXFK170N20T 图片
IXFK170N20T 报价
IXFK170N20T 提供
IXFK170N20T 最低价格
IXFK170N20T 搜索
IXFK170N20T 购买
IXFK170N20T 芯片