IRFHM9331TRPBF
MOSFET P-CH 30V 11A 8-PQFN
型号
IRFHM9331TRPBF
制造商/品牌
系列
HEXFET®
零件状态
Active
包装
Cut Tape (CT)
技术
MOSFET (Metal Oxide)
工作温度
-55°C ~ 150°C (TJ)
安装类型
Surface Mount
封装/箱体
8-PowerTDFN
供应商器件封装
PQFN (3x3)
功率耗散（最大）
2.8W (Ta)
场效应晶体管类型
P-Channel
场效应晶体管特性
-
漏源电压 (Vdss)
30V
电流 - 连续漏极 (Id) @ 25�C
11A (Ta), 24A (Tc)
Rds On（最大值）@ Id、Vgs
10 mOhm @ 11A, 20V
Vgs(th)（最大值）@Id
2.4V @ 25µA
栅极电荷 (Qg) (最大值) @ Vgs
48nC @ 10V
输入电容 (Ciss) (最大值) @ Vds
1543pF @ 25V
驱动电压（最大导通电阻、最小导通电阻）
10V, 20V
电压 (最大值)
±25V
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