IRFH7921TRPBF
MOSFET N-CH 30V 15A PQFN56
型号
IRFH7921TRPBF
制造商/品牌
系列
HEXFET®
零件状态
Active
包装
Tape & Reel (TR)
技术
MOSFET (Metal Oxide)
工作温度
-55°C ~ 150°C (TJ)
安装类型
Surface Mount
封装/箱体
8-PowerVDFN
供应商器件封装
PQFN (5x6) Single Die
功率耗散（最大）
3.1W (Ta)
场效应晶体管类型
N-Channel
场效应晶体管特性
-
漏源电压 (Vdss)
30V
电流 - 连续漏极 (Id) @ 25�C
15A (Ta), 34A (Tc)
Rds On（最大值）@ Id、Vgs
8.5 mOhm @ 15A, 10V
Vgs(th)（最大值）@Id
2.35V @ 25µA
栅极电荷 (Qg) (最大值) @ Vgs
14nC @ 4.5V
输入电容 (Ciss) (最大值) @ Vds
1210pF @ 15V
驱动电压（最大导通电阻、最小导通电阻）
4.5V, 10V
电压 (最大值)
±20V
请求报价
请填写所有必填字段并点击“提交”，我们将在12小时内通过电子邮件与您联系。如果您有任何问题，请留言或发送电子邮件至 [email protected]，我们将尽快回复。
有货 46715 PCS
联系信息
相关产品
关键词 IRFH7921TRPBF
IRFH7921TRPBF 电子元件
IRFH7921TRPBF 销售
IRFH7921TRPBF 供应商
IRFH7921TRPBF 分销商
IRFH7921TRPBF 数据表
IRFH7921TRPBF 图片
IRFH7921TRPBF 报价
IRFH7921TRPBF 提供
IRFH7921TRPBF 最低价格
IRFH7921TRPBF 搜索
IRFH7921TRPBF 购买
IRFH7921TRPBF 芯片