IRFH4209DTRPBF
MOSFET N-CH 25V 44A 8PQFN
型号
IRFH4209DTRPBF
制造商/品牌
系列
FASTIRFET™, HEXFET®
零件状态
Obsolete
包装
Tape & Reel (TR)
技术
MOSFET (Metal Oxide)
工作温度
-55°C ~ 150°C (TJ)
安装类型
Surface Mount
封装/箱体
8-PowerTDFN
供应商器件封装
PQFN (5x6)
功率耗散（最大）
3.5W (Ta), 125W (Tc)
场效应晶体管类型
N-Channel
场效应晶体管特性
-
漏源电压 (Vdss)
25V
电流 - 连续漏极 (Id) @ 25�C
44A (Ta), 260A (Tc)
Rds On（最大值）@ Id、Vgs
1.1 mOhm @ 50A, 10V
Vgs(th)（最大值）@Id
2.1V @ 100µA
栅极电荷 (Qg) (最大值) @ Vgs
74nC @ 10V
输入电容 (Ciss) (最大值) @ Vds
4620pF @ 13V
驱动电压（最大导通电阻、最小导通电阻）
4.5V, 10V
电压 (最大值)
±20V
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