购买 Infineon Technologies IRFB42N20DPBF MOSFET N-CH 200V 44A TO-220AB - YYIC

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IRFB42N20DPBF

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IRFB42N20DPBF

MOSFET N-CH 200V 44A TO-220AB

型号

IRFB42N20DPBF

制造商/品牌

Infineon Technologies

系列

HEXFET®

零件状态

Active

包装

Tube

技术

MOSFET (Metal Oxide)

工作温度

-55°C ~ 175°C (TJ)

安装类型

Through Hole

封装/箱体

TO-220-3

供应商器件封装

TO-220AB

功率耗散（最大）

2.4W (Ta), 330W (Tc)

场效应晶体管类型

N-Channel

场效应晶体管特性

-

漏源电压 (Vdss)

200V

电流 - 连续漏极 (Id) @ 25�C

44A (Tc)

Rds On（最大值）@ Id、Vgs

55 mOhm @ 26A, 10V

Vgs(th)（最大值）@Id

5.5V @ 250µA

栅极电荷 (Qg) (最大值) @ Vgs

140nC @ 10V

输入电容 (Ciss) (最大值) @ Vds

3430pF @ 25V

驱动电压（最大导通电阻、最小导通电阻）

10V

电压 (最大值)

±30V

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