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IRF7805ZGTRPBF

IRF7805ZGTRPBF

MOSFET N-CH 30V 16A 8-SOIC
型号
IRF7805ZGTRPBF
制造商/品牌
系列
HEXFET®
零件状态
Obsolete
包装
Tape & Reel (TR)
技术
MOSFET (Metal Oxide)
工作温度
-55°C ~ 150°C (TJ)
安装类型
Surface Mount
封装/箱体
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
供应商器件封装
8-SO
功率耗散(最大)
2.5W (Ta)
场效应晶体管类型
N-Channel
场效应晶体管特性
-
漏源电压 (Vdss)
30V
电流 - 连续漏极 (Id) @ 25�C
16A (Ta)
Rds On(最大值)@ Id、Vgs
6.8 mOhm @ 16A, 10V
Vgs(th)(最大值)@Id
2.25V @ 250µA
栅极电荷 (Qg) (最大值) @ Vgs
27nC @ 4.5V
输入电容 (Ciss) (最大值) @ Vds
2080pF @ 15V
驱动电压(最大导通电阻、最小导通电阻)
4.5V, 10V
电压 (最大值)
±20V
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