IRF7703GTRPBF
MOSFET P-CH 40V 6A 8-TSSOP
型号
IRF7703GTRPBF
制造商/品牌
系列
HEXFET®
零件状态
Obsolete
包装
Cut Tape (CT)
技术
MOSFET (Metal Oxide)
工作温度
-55°C ~ 150°C (TJ)
安装类型
Surface Mount
封装/箱体
8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
供应商器件封装
8-TSSOP
功率耗散（最大）
1.5W (Ta)
场效应晶体管类型
P-Channel
场效应晶体管特性
-
漏源电压 (Vdss)
40V
电流 - 连续漏极 (Id) @ 25�C
6A (Ta)
Rds On（最大值）@ Id、Vgs
28 mOhm @ 6A, 10V
Vgs(th)（最大值）@Id
3V @ 250µA
栅极电荷 (Qg) (最大值) @ Vgs
62nC @ 4.5V
输入电容 (Ciss) (最大值) @ Vds
5220pF @ 25V
驱动电压（最大导通电阻、最小导通电阻）
4.5V, 10V
电压 (最大值)
±20V
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