IRF6721STR1PBF
MOSFET N-CH 30V 14A DIRECTFET
型号
IRF6721STR1PBF
制造商/品牌
系列
HEXFET®
零件状态
Obsolete
包装
Digi-Reel®
技术
MOSFET (Metal Oxide)
工作温度
-40°C ~ 150°C (TJ)
安装类型
Surface Mount
封装/箱体
DirectFET™ Isometric SQ
供应商器件封装
DIRECTFET™ SQ
功率耗散（最大）
2.2W (Ta), 42W (Tc)
场效应晶体管类型
N-Channel
场效应晶体管特性
-
漏源电压 (Vdss)
30V
电流 - 连续漏极 (Id) @ 25�C
14A (Ta), 60A (Tc)
Rds On（最大值）@ Id、Vgs
7.3 mOhm @ 14A, 10V
Vgs(th)（最大值）@Id
2.4V @ 25µA
栅极电荷 (Qg) (最大值) @ Vgs
17nC @ 4.5V
输入电容 (Ciss) (最大值) @ Vds
1430pF @ 15V
驱动电压（最大导通电阻、最小导通电阻）
4.5V, 10V
电压 (最大值)
±20V
请求报价
请填写所有必填字段并点击“提交”，我们将在12小时内通过电子邮件与您联系。如果您有任何问题，请留言或发送电子邮件至 [email protected]，我们将尽快回复。
有货 14727 PCS
联系信息
相关产品
关键词 IRF6721STR1PBF
IRF6721STR1PBF 电子元件
IRF6721STR1PBF 销售
IRF6721STR1PBF 供应商
IRF6721STR1PBF 分销商
IRF6721STR1PBF 数据表
IRF6721STR1PBF 图片
IRF6721STR1PBF 报价
IRF6721STR1PBF 提供
IRF6721STR1PBF 最低价格
IRF6721STR1PBF 搜索
IRF6721STR1PBF 购买
IRF6721STR1PBF 芯片