IRF6721STR1PBF
MOSFET N-CH 30V 14A DIRECTFET
型号
IRF6721STR1PBF
制造商/品牌
系列
HEXFET®
零件状态
Obsolete
包装
Cut Tape (CT)
技术
MOSFET (Metal Oxide)
工作温度
-40°C ~ 150°C (TJ)
安装类型
Surface Mount
封装/箱体
DirectFET™ Isometric SQ
供应商器件封装
DIRECTFET™ SQ
功率耗散（最大）
2.2W (Ta), 42W (Tc)
场效应晶体管类型
N-Channel
场效应晶体管特性
-
漏源电压 (Vdss)
30V
电流 - 连续漏极 (Id) @ 25�C
14A (Ta), 60A (Tc)
Rds On（最大值）@ Id、Vgs
7.3 mOhm @ 14A, 10V
Vgs(th)（最大值）@Id
2.4V @ 25µA
栅极电荷 (Qg) (最大值) @ Vgs
17nC @ 4.5V
输入电容 (Ciss) (最大值) @ Vds
1430pF @ 15V
驱动电压（最大导通电阻、最小导通电阻）
4.5V, 10V
电压 (最大值)
±20V
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