IRF6674TR1PBF
MOSFET N-CH 60V 13.4A DIRECTFET
型号
IRF6674TR1PBF
制造商/品牌
系列
HEXFET®
零件状态
Obsolete
包装
Tape & Reel (TR)
技术
MOSFET (Metal Oxide)
工作温度
-40°C ~ 150°C (TJ)
安装类型
Surface Mount
封装/箱体
DirectFET™ Isometric MZ
供应商器件封装
DIRECTFET™ MZ
功率耗散（最大）
3.6W (Ta), 89W (Tc)
场效应晶体管类型
N-Channel
场效应晶体管特性
-
漏源电压 (Vdss)
60V
电流 - 连续漏极 (Id) @ 25�C
13.4A (Ta), 67A (Tc)
Rds On（最大值）@ Id、Vgs
11 mOhm @ 13.4A, 10V
Vgs(th)（最大值）@Id
4.9V @ 100µA
栅极电荷 (Qg) (最大值) @ Vgs
36nC @ 10V
输入电容 (Ciss) (最大值) @ Vds
1350pF @ 25V
驱动电压（最大导通电阻、最小导通电阻）
10V
电压 (最大值)
±20V
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