IRF3546MTRPBF
MOSFET 4N-CH 25V 16A/20A 41PQFN
型号
IRF3546MTRPBF
制造商/品牌
系列
-
零件状态
Active
包装
Cut Tape (CT)
工作温度
-40°C ~ 150°C (TJ)
安装类型
Surface Mount
封装/箱体
41-PowerVFQFN
功率 - 最大
-
供应商器件封装
41-PQFN (6x8)
场效应晶体管类型
4 N-Channel
场效应晶体管特性
Logic Level Gate
漏源电压 (Vdss)
25V
电流 - 连续漏极 (Id) @ 25�C
16A (Tc), 20A (Tc)
Rds On（最大值）@ Id、Vgs
3.9 mOhm @ 27A, 10V
Vgs(th)（最大值）@Id
2.1V @ 35µA
栅极电荷 (Qg) (最大值) @ Vgs
15nC @ 4.5V
输入电容 (Ciss) (最大值) @ Vds
1310pF @ 13V
请求报价
请填写所有必填字段并点击“提交”，我们将在12小时内通过电子邮件与您联系。如果您有任何问题，请留言或发送电子邮件至 [email protected]，我们将尽快回复。
有货 21956 PCS
联系信息
相关产品
关键词 IRF3546MTRPBF
IRF3546MTRPBF 电子元件
IRF3546MTRPBF 销售
IRF3546MTRPBF 供应商
IRF3546MTRPBF 分销商
IRF3546MTRPBF 数据表
IRF3546MTRPBF 图片
IRF3546MTRPBF 报价
IRF3546MTRPBF 提供
IRF3546MTRPBF 最低价格
IRF3546MTRPBF 搜索
IRF3546MTRPBF 购买
IRF3546MTRPBF 芯片