IPP034N03LGHKSA1
MOSFET N-CH 30V 80A TO-220-3
型号
IPP034N03LGHKSA1
制造商/品牌
系列
OptiMOS™
零件状态
Obsolete
包装
Tube
技术
MOSFET (Metal Oxide)
工作温度
-55°C ~ 175°C (TJ)
安装类型
Through Hole
封装/箱体
TO-220-3
供应商器件封装
PG-TO220-3-1
功率耗散（最大）
94W (Tc)
场效应晶体管类型
N-Channel
场效应晶体管特性
-
漏源电压 (Vdss)
30V
电流 - 连续漏极 (Id) @ 25�C
80A (Tc)
Rds On（最大值）@ Id、Vgs
3.4 mOhm @ 30A, 10V
Vgs(th)（最大值）@Id
2.2V @ 250µA
栅极电荷 (Qg) (最大值) @ Vgs
25nC @ 4.5V
输入电容 (Ciss) (最大值) @ Vds
5300pF @ 15V
驱动电压（最大导通电阻、最小导通电阻）
4.5V, 10V
电压 (最大值)
±20V
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