IPB80N06S2L06ATMA1
MOSFET N-CH 55V 80A TO263-3
型号
IPB80N06S2L06ATMA1
制造商/品牌
系列
OptiMOS™
零件状态
Discontinued at Digi-Key
包装
Tape & Reel (TR)
技术
MOSFET (Metal Oxide)
工作温度
-55°C ~ 175°C (TJ)
安装类型
Surface Mount
封装/箱体
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
供应商器件封装
PG-TO263-3-2
功率耗散（最大）
250W (Tc)
场效应晶体管类型
N-Channel
场效应晶体管特性
-
漏源电压 (Vdss)
55V
电流 - 连续漏极 (Id) @ 25�C
80A (Tc)
Rds On（最大值）@ Id、Vgs
6 mOhm @ 69A, 10V
Vgs(th)（最大值）@Id
2V @ 180µA
栅极电荷 (Qg) (最大值) @ Vgs
150nC @ 10V
输入电容 (Ciss) (最大值) @ Vds
3800pF @ 25V
驱动电压（最大导通电阻、最小导通电阻）
4.5V, 10V
电压 (最大值)
±20V
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