IPB083N15N5LFATMA1
MOSFET N-CH 150V 105A TO263-3
型号
IPB083N15N5LFATMA1
制造商/品牌
系列
OptiMOS™
零件状态
Active
包装
Cut Tape (CT)
技术
MOSFET (Metal Oxide)
工作温度
-55°C ~ 150°C (TJ)
安装类型
Surface Mount
封装/箱体
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
供应商器件封装
D²PAK (TO-263AB)
功率耗散（最大）
179W (Tc)
场效应晶体管类型
N-Channel
场效应晶体管特性
-
漏源电压 (Vdss)
150V
电流 - 连续漏极 (Id) @ 25�C
105A (Tc)
Rds On（最大值）@ Id、Vgs
8.3 mOhm @ 100A, 10V
Vgs(th)（最大值）@Id
4.9V @ 134µA
栅极电荷 (Qg) (最大值) @ Vgs
45nC @ 10V
输入电容 (Ciss) (最大值) @ Vds
210pF @ 75V
驱动电压（最大导通电阻、最小导通电阻）
10V
电压 (最大值)
±20V
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