GP1M005A050PH
MOSFET N-CH 500V 4.5A IPAK
型号
GP1M005A050PH
系列
-
零件状态
Obsolete
包装
Tape & Reel (TR)
技术
MOSFET (Metal Oxide)
工作温度
-55°C ~ 150°C (TJ)
安装类型
Through Hole
封装/箱体
TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
供应商器件封装
I-PAK
功率耗散（最大）
92.5W (Tc)
场效应晶体管类型
N-Channel
场效应晶体管特性
-
漏源电压 (Vdss)
500V
电流 - 连续漏极 (Id) @ 25�C
4.5A (Tc)
Rds On（最大值）@ Id、Vgs
1.65 Ohm @ 2.25A, 10V
Vgs(th)（最大值）@Id
4V @ 250µA
栅极电荷 (Qg) (最大值) @ Vgs
11nC @ 10V
输入电容 (Ciss) (最大值) @ Vds
627pF @ 25V
驱动电压（最大导通电阻、最小导通电阻）
10V
电压 (最大值)
±30V
请求报价
请填写所有必填字段并点击“提交”，我们将在12小时内通过电子邮件与您联系。如果您有任何问题，请留言或发送电子邮件至 [email protected]，我们将尽快回复。
有货 22205 PCS
联系信息
相关产品
关键词 GP1M005A050PH
GP1M005A050PH 电子元件
GP1M005A050PH 销售
GP1M005A050PH 供应商
GP1M005A050PH 分销商
GP1M005A050PH 数据表
GP1M005A050PH 图片
GP1M005A050PH 报价
GP1M005A050PH 提供
GP1M005A050PH 最低价格
GP1M005A050PH 搜索
GP1M005A050PH 购买
GP1M005A050PH 芯片