EPC2103
TRANS GAN SYMMETRICAL HALF BRIDG
场效应晶体管类型
2 N-Channel (Half Bridge)
场效应晶体管特性
GaNFET (Gallium Nitride)
电流 - 连续漏极 (Id) @ 25�C
28A
Rds On(最大值)@ Id、Vgs
5.5 mOhm @ 20A, 5V
Vgs(th)(最大值)@Id
2.5V @ 7mA
栅极电荷 (Qg) (最大值) @ Vgs
6.5nC @ 5V
输入电容 (Ciss) (最大值) @ Vds
760pF @ 40V
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