EPC
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EPC2101
数据表

EPC2101

TRANS GAN ASYMMETRICAL HALF BRID
型号
EPC2101
制造商/品牌
EPC
系列
eGaN®
零件状态
Active
包装
Digi-Reel®
工作温度
-40°C ~ 150°C (TJ)
安装类型
Surface Mount
封装/箱体
Die
功率 - 最大
-
供应商器件封装
Die
场效应晶体管类型
2 N-Channel (Half Bridge)
场效应晶体管特性
GaNFET (Gallium Nitride)
漏源电压 (Vdss)
60V
电流 - 连续漏极 (Id) @ 25�C
9.5A, 38A
Rds On（最大值）@ Id、Vgs
11.5 mOhm @ 20A, 5V, 2.7 mOhm @ 20A, 5V
Vgs(th)（最大值）@Id
2.5V @ 3mA, 2.5V @ 12mA
栅极电荷 (Qg) (最大值) @ Vgs
2.7nC @ 5V, 12nC @ 5V
输入电容 (Ciss) (最大值) @ Vds
300pF @ 30V, 1200pF @ 30V
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