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EPC2050ENGRT
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EPC2050ENGRT

TRANS GAN 350V BUMPED DIE
型号
EPC2050ENGRT
制造商/品牌
EPC
系列
eGaN®
零件状态
Active
包装
Tape & Reel (TR)
技术
GaNFET (Gallium Nitride)
工作温度
-40°C ~ 150°C (TJ)
安装类型
Surface Mount
封装/箱体
Die
供应商器件封装
Die Outline (12-Solder Bar)
功率耗散（最大）
-
场效应晶体管类型
N-Channel
场效应晶体管特性
-
漏源电压 (Vdss)
350V
电流 - 连续漏极 (Id) @ 25�C
6.3A
Rds On（最大值）@ Id、Vgs
65 mOhm @ 6A, 5V
Vgs(th)（最大值）@Id
2.5V @ 1.5mA
栅极电荷 (Qg) (最大值) @ Vgs
4.3nC @ 5V
输入电容 (Ciss) (最大值) @ Vds
505pF @ 280V
驱动电压（最大导通电阻、最小导通电阻）
5V
电压 (最大值)
+6V, -4V
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