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EPC2019

EPC2019

TRANS GAN 200V 8.5A BUMPED DIE
型号
EPC2019
制造商/品牌
系列
eGaN®
零件状态
Active
包装
Tape & Reel (TR)
技术
GaNFET (Gallium Nitride)
工作温度
-40°C ~ 150°C (TJ)
安装类型
Surface Mount
封装/箱体
Die
供应商器件封装
Die
功率耗散(最大)
-
场效应晶体管类型
N-Channel
场效应晶体管特性
-
漏源电压 (Vdss)
200V
电流 - 连续漏极 (Id) @ 25�C
8.5A (Ta)
Rds On(最大值)@ Id、Vgs
50 mOhm @ 7A, 5V
Vgs(th)(最大值)@Id
2.5V @ 1.5mA
栅极电荷 (Qg) (最大值) @ Vgs
2.5nC @ 5V
输入电容 (Ciss) (最大值) @ Vds
270pF @ 100V
驱动电压(最大导通电阻、最小导通电阻)
5V
电压 (最大值)
+6V, -4V
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