EPC2019
TRANS GAN 200V 8.5A BUMPED DIE
技术
GaNFET (Gallium Nitride)
电流 - 连续漏极 (Id) @ 25�C
8.5A (Ta)
Rds On(最大值)@ Id、Vgs
50 mOhm @ 7A, 5V
Vgs(th)(最大值)@Id
2.5V @ 1.5mA
栅极电荷 (Qg) (最大值) @ Vgs
2.5nC @ 5V
输入电容 (Ciss) (最大值) @ Vds
270pF @ 100V
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