EPC
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EPC2018
数据表

EPC2018

TRANS GAN 150V 12A BUMPED DIE
型号
EPC2018
制造商/品牌
EPC
系列
eGaN®
零件状态
Discontinued at Digi-Key
包装
Cut Tape (CT)
技术
GaNFET (Gallium Nitride)
工作温度
-40°C ~ 125°C (TJ)
安装类型
Surface Mount
封装/箱体
Die
供应商器件封装
Die
功率耗散（最大）
-
场效应晶体管类型
N-Channel
场效应晶体管特性
-
漏源电压 (Vdss)
150V
电流 - 连续漏极 (Id) @ 25�C
12A (Ta)
Rds On（最大值）@ Id、Vgs
25 mOhm @ 6A, 5V
Vgs(th)（最大值）@Id
2.5V @ 3mA
栅极电荷 (Qg) (最大值) @ Vgs
7.5nC @ 5V
输入电容 (Ciss) (最大值) @ Vds
540pF @ 100V
驱动电压（最大导通电阻、最小导通电阻）
5V
电压 (最大值)
+6V, -5V
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