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DMN2050LFDB-13

DMN2050LFDB-13

MOSFET 2N-CH 20V 3.3A 6UDFN
型号
DMN2050LFDB-13
制造商/品牌
系列
-
零件状态
Active
包装
Cut Tape (CT)
工作温度
-55°C ~ 150°C (TJ)
安装类型
Surface Mount
封装/箱体
6-UDFN Exposed Pad
功率 - 最大
730mW
供应商器件封装
U-DFN2020-6 (Type B)
场效应晶体管类型
2 N-Channel (Dual)
场效应晶体管特性
Logic Level Gate
漏源电压 (Vdss)
20V
电流 - 连续漏极 (Id) @ 25�C
3.3A
Rds On(最大值)@ Id、Vgs
45 mOhm @ 5A, 4.5V
Vgs(th)(最大值)@Id
1V @ 250µA
栅极电荷 (Qg) (最大值) @ Vgs
12nC @ 10V
输入电容 (Ciss) (最大值) @ Vds
389pF @ 10V
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