DMN2022UNS-7
MOSFET 2 N-CH 20V POWERDI3333-8
型号
DMN2022UNS-7
制造商/品牌
系列
*
零件状态
Active
包装
Tape & Reel (TR)
工作温度
-55°C ~ 150°C (TJ)
安装类型
Surface Mount
封装/箱体
8-PowerVDFN
功率 - 最大
1.2W
供应商器件封装
PowerDI3333-8
场效应晶体管类型
2 N-Channel (Dual)
场效应晶体管特性
Standard
漏源电压 (Vdss)
20V
电流 - 连续漏极 (Id) @ 25�C
10.7A
Rds On（最大值）@ Id、Vgs
10.8 mOhm @ 4A, 4.5V
Vgs(th)（最大值）@Id
1V @ 250µA
栅极电荷 (Qg) (最大值) @ Vgs
20.3nC @ 4.5V
输入电容 (Ciss) (最大值) @ Vds
1870pF @ 10V
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