Diodes Incorporated
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DMN2013UFX-7
数据表

DMN2013UFX-7

MOSFET 2N-CH 20V 10A 6-DFN
型号
DMN2013UFX-7
制造商/品牌
Diodes Incorporated
系列
-
零件状态
Discontinued at Digi-Key
包装
Cut Tape (CT)
工作温度
-55°C ~ 150°C (TJ)
安装类型
Surface Mount
封装/箱体
6-VFDFN Exposed Pad
功率 - 最大
780mW
供应商器件封装
W-DFN5020-6
场效应晶体管类型
2 N-Channel (Dual) Common Drain
场效应晶体管特性
Logic Level Gate
漏源电压 (Vdss)
20V
电流 - 连续漏极 (Id) @ 25�C
10A (Ta)
Rds On（最大值）@ Id、Vgs
11.5 mOhm @ 8.5A, 4.5V
Vgs(th)（最大值）@Id
1.1V @ 250µA
栅极电荷 (Qg) (最大值) @ Vgs
57.4nC @ 8V
输入电容 (Ciss) (最大值) @ Vds
2607pF @ 10V
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