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AOD3N50_003
MOSFET N-CH TO252
型号
AOD3N50_003
系列
-
零件状态
Last Time Buy
包装
-
技术
MOSFET (Metal Oxide)
工作温度
-50°C ~ 150°C (TJ)
安装类型
Surface Mount
封装/箱体
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
供应商器件封装
TO-252, (D-Pak)
功率耗散（最大）
57W (Tc)
场效应晶体管类型
N-Channel
场效应晶体管特性
-
漏源电压 (Vdss)
500V
电流 - 连续漏极 (Id) @ 25�C
2.8A (Tc)
Rds On（最大值）@ Id、Vgs
3 Ohm @ 1.5A, 10V
Vgs(th)（最大值）@Id
4.5V @ 250µA
栅极电荷 (Qg) (最大值) @ Vgs
8nC @ 10V
输入电容 (Ciss) (最大值) @ Vds
331pF @ 25V
驱动电压（最大导通电阻、最小导通电阻）
10V
电压 (最大值)
±30V
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