图片可能具有代表性。
产品详情请参阅规格.
ALD1105PBL

ALD1105PBL

MOSFET 2N/2P-CH 10.6V 14DIP
型号
ALD1105PBL
制造商/品牌
系列
-
零件状态
Active
包装
Tube
工作温度
0°C ~ 70°C (TJ)
安装类型
Through Hole
封装/箱体
14-DIP (0.300", 7.62mm)
功率 - 最大
500mW
供应商器件封装
14-PDIP
场效应晶体管类型
2 N and 2 P-Channel Matched Pair
场效应晶体管特性
Standard
漏源电压 (Vdss)
10.6V
电流 - 连续漏极 (Id) @ 25�C
-
Rds On(最大值)@ Id、Vgs
500 Ohm @ 5V
Vgs(th)(最大值)@Id
1V @ 1µA
栅极电荷 (Qg) (最大值) @ Vgs
-
输入电容 (Ciss) (最大值) @ Vds
3pF @ 5V
请求报价
请填写所有必填字段并点击“提交”,我们将在12小时内通过电子邮件与您联系。如果您有任何问题,请留言或发送电子邮件至 [email protected],我们将尽快回复。
有货 14092 PCS
联系信息
关键词 ALD1105PBL
ALD1105PBL 电子元件
ALD1105PBL 销售
ALD1105PBL 供应商
ALD1105PBL 分销商
ALD1105PBL 数据表
ALD1105PBL 图片
ALD1105PBL 报价
ALD1105PBL 提供
ALD1105PBL 最低价格
ALD1105PBL 搜索
ALD1105PBL 购买
ALD1105PBL 芯片